特許

J-GLOBAL ID：200903072116704613

洗浄液及びそれを用いた洗浄方法

発明者： 高橋 史治 ,  原 靖 ,  林 博明
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102796
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307634
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】半導体材料に使用されるシリコン及びタングステンが同時に露出する工程において、これらの材料をエッチングすることなく、しかも洗浄性能に優れた洗浄液を提供する。【解決手段】アミンを好ましくは0.001〜60重量%、オゾンを好ましくは0.001重量%以上含有し、水等の溶媒を含んでなる半導体デバイス用洗浄液であり、アミンとしては、メチルアミン等のアルキルアミン、エチレンジアミン等のアルキレンアミン、ピロリジン等の環状アミン、モノエタノールアミン等の水酸基含有アミン、シアノエチルエチレンジアミン等のニトリル基含有アミン及びこれらのアミンのアルキル化体から選ばれる少なくとも一種が好適であり、洗浄液のpHが好ましくは7.1以上のものである。【選択図】 選択図なし

請求項（抜粋）：

アミン、オゾン及び溶媒を含んでなる半導体デバイス用洗浄液。

IPC (2件)：

C11D7/32 ,  H01L21/304

FI (3件)：

C11D7/32 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z

Fターム (7件)：

4H003DA15 ,  4H003EA20 ,  4H003EA31 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003FA15 ,  4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板表面洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-145977   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体基板の洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-211235   出願人：三菱瓦斯化学株式会社