基板表面洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145977
公開番号（公開出願番号）：特開2003-088817
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年03月25日
要約：

【要約】【課題】基板の洗浄において、?@短時間で、?Aパーティクル汚染と金属汚染の双方を除去し、?Bこの際に汚染再付着やエッチングによる加工寸法変化などの問題を極めて低減させた、高効率な基板洗浄方法を提供すること。【解決手段】少なくとも以下の工程(1)及び工程(2)を含み、工程(1)を行った後に工程(2)を行う基板表面洗浄方法。工程(1)錯化剤含有アルカリ性洗浄剤で基板表面の洗浄を行う洗浄工程。工程(2)フッ酸含有率C(重量%)が0.03〜3重量%である洗浄剤を用い、該洗浄剤による基板の洗浄時間t(秒)が45秒以下であり、且つCとtが0.25≦ tC1.29≦5の関係にある洗浄工程。

請求項（抜粋）：

少なくとも以下の工程(1)及び工程(2)を含み、工程(1)を行った後に工程(2)を行う基板表面洗浄方法。工程(1)錯化剤含有アルカリ性洗浄剤で基板表面の洗浄を行う洗浄工程。工程(2)フッ酸含有率C(重量%)が0.03〜3重量%である洗浄剤を用い、該洗浄剤による基板の洗浄時間t(秒)が45秒以下であり、且つCとtが0.25≦ tC1.29≦5の関係にある洗浄工程。

IPC (5件)：

B08B 3/08 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/304 647 , H01L 21/304 648

FI (5件)：

B08B 3/08 Z , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/304 647 A , H01L 21/304 648 G

Fターム (20件)：

2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088KA30 , 2H088MA20 , 2H090JA00 , 2H090JB00 , 2H090JB02 , 2H090JC19 , 2H090JD01 , 2H090JD08 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201BA02 , 3B201BB82 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CC13

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177504 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-074749 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-219000

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