特許

J-GLOBAL ID：200903072143935554

フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 克典
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-026664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231699
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】シリコン製電極からのパーティクルの発生を抑制し、シリコン製電極を本来の寿命まで使用することを可能にするフロロカーボン系プラズマを生成する装置のシリコン製電極の洗浄方法の提供。【解決手段】フロロカーボン系プラズマを生成する装置の反応室内にフロロカーボン系ガスを供給するための複数のガスノズル孔が形成されたプラズマ生成用シリコン製電極を洗浄する方法であって、プラズマの生成によって形成され、ガスノズル孔内壁に付着したフロロカーボン系ポリマーを、シリコンに対してエッチング作用を有する無機酸系洗浄液を用いて除去する。

請求項（抜粋）：

フロロカーボン系プラズマを生成する装置の反応室内にフロロカーボン系ガスを供給するための複数のガスノズル孔が形成されたプラズマ生成用シリコン製電極を洗浄する方法であって、前記プラズマの生成によって形成され、前記ガスノズル孔内壁に付着したフロロカーボン系ポリマーを、シリコンに対してエッチング作用を有する洗浄液を用いて除去することを特徴とするシリコン製電極の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B08B 3/08 ,  B08B 7/00 ,  C11D 7/08 ,  C11D 17/08

FI (5件)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 7/00 ,  C11D 7/08 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/302 C

Fターム (38件)：

3B116AA46 ,  3B116AB53 ,  3B116BA06 ,  3B116BB03 ,  3B116BB21 ,  3B116BB83 ,  3B116BB90 ,  3B116CC03 ,  3B116CD22 ,  3B201AA46 ,  3B201AB53 ,  3B201BA06 ,  3B201BB05 ,  3B201BB21 ,  3B201BB83 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB94 ,  3B201BB96 ,  3B201CB12 ,  3B201CC12 ,  3B201CD22 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003DC04 ,  4H003EA05 ,  4H003FA15 ,  4H003FA21 ,  4H003FA29 ,  5F004AA15 ,  5F004BB22 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマエッチング用電極板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190995   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-142409   出願人：東京エレクトロン株式会社