特許
J-GLOBAL ID：200903072158130633

半導体装置の製造方法及びこの方法を用いた半導体装置

発明者：
松岡 史倫

松岡 史倫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106986
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293666
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】ランダムで微細なパターン形状を構成するデバイスに対して効率的な写真蝕刻方法を用いる。【解決手段】11〜18は、例えばMOSトランジスタのゲート電極のパターンである。破線はソース,ドレイン拡散領域を示している。上記ゲート電極のうち、パターン12〜16は最も微細な線幅のパターンであり、電子線露光により形成される。他のパターン11,17,18及びこれらのパターンを接続するコンタクト領域のパターン21〜23は、一括縮小投影露光法で形成される。現像処理は上記2種類の露光が終った後まとめてなされる。そのため、電子線露光、光露光の両方に感光するレジスト剤が用いられる。
請求項（抜粋）：
写真蝕刻法を用いる工程が含まれる半導体装置の製造において、同一層に対して電子線露光とそれ以外の露光とを併用したレジストパターンの形成を含む写真蝕刻工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (5件)：
H01L 21/30 541 W ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 514 B ,  H01L 21/30 541 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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