単層カーボンナノチューブの製法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208999
公開番号（公開出願番号）：特開2006-027948
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】単層カーボンナノチューブ6の合成に用いられる触媒金属の作製の手間を軽減し、効率的、かつ安価に単層カーボンナノチューブ6を合成する製法を提供する。また、単層カーボンナノチューブ6中に触媒金属粒子が含まれず、構造欠陥が少なく、高純度で精製処理が不要な単層カーボンナノチューブ6を合成する製法を提供する。さらに、炭素源として安価な一酸化炭素を用いるとともに、反応条件が低温、低圧である製法を提供する。【解決手段】炭素含有ガスを触媒金属が担持された支持体2上に流し、気相成長法により支持体2上に単層カーボンナノチューブ6を成長させ、得られた単層カーボンナノチューブ6を回収した後、この支持体2をそのまま再使用して、この支持体2上に単層カーボンナノチューブ6を成長させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭素含有ガスを触媒金属が担持された支持体上に流し、気相成長法により支持体上に単層カーボンナノチューブを成長させ、得られた単層カーボンナノチューブを回収した後、この支持体をそのまま再使用して、この支持体上に単層カーボンナノチューブを成長させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (11件)：

4G146AA11 , 4G146AC03B , 4G146AC16B , 4G146BA08 , 4G146BC08 , 4G146BC25 , 4G146BC33B , 4G146BC42 , 4G146CA20 , 4G146DA30 , 4G146DA45

引用特許：

審査官引用 (4件)

カーボンナノチューブを生産するための方法および触媒
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-621281 出願人：ザボードオブリージェンツオブザユニヴァーシティーオブオクラホマ
配向性カーボンナノチューブ膜の転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-091582 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
金属粒子からの単層カーボンナノチューブの接触成長
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-574021 出願人：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ

全件表示

前のページに戻る