ウエハ処理装置、ウエハステージおよびウエハ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-052576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088063
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】ウエハの温度分布を均一に保つことができ、プラズマで処理する際にはウエハへの入熱を取り除くことによりウエハの温度上昇を抑えることができるウエハ処理装置、およびウエハステージを提供する。【解決手段】ウエハ1を積載するセラミックス板15にヒータ機能と静電チャック機能を埋め込み、このセラミックス板15を熱絶縁部材を挟みこんだ状態で、熱伝導率の小さなセラミックスボルト36で冷却用の冷却ジャケット14に固定する。また、セラミックス板15と冷却ジャケット14の間には、ウエハ1への入熱を水冷ジャケット14に再現性よく伝達するために、上下方向に弾性を有する熱伝導部材24を挟みこむ。また、セラミックス板15の側壁から放射によりチャンバへ熱が逃げることによりウエハ温度分布が悪化することを低減するため、セラミックス板15の外周を輻射断熱材38でカバーすることにより達成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを保持するウエハステージにおいて、前記半導体ウエハを保持するためのウエハステージは、内部に直流電圧と高周波電圧を印加するための内部電極と、ヒータ配線を内蔵したセラミックス板を、内部を冷媒で冷却した冷却ジャケットにボルトで固定し、前記セラミックス板と前記冷却ジャケット間を真空断熱し、前記セラミックス板と前記冷却ジャケット間の熱移動は輻射伝熱により行うことを特徴とするウエハステージ。

IPC (4件)：

H01L21/68 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H05B3/74

FI (4件)：

H01L21/68 R , H01L21/02 Z , H05B3/74 , H01L21/302 101C

Fターム (34件)：

3K092PP09 , 3K092QA05 , 3K092RF03 , 3K092RF11 , 3K092RF26 , 3K092RF27 , 3K092VV22 , 3K092VV40 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BD07 , 5F004CA04 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004EB05 , 5F004EB08 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA16 , 5F031HA18 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031JA01 , 5F031JA46 , 5F031MA28 , 5F031MA32 , 5F031NA05 , 5F031PA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-037164 出願人：東京エレクトロン株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-026227 出願人：東京エレクトロン株式会社
電極構造、載置台構造、プラズマ処理装置及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-168297 出願人：東京エレクトロン株式会社

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