高耐圧ICおよびそれに用いる高耐圧接合終端構造と高耐圧MISトランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192891
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055498
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】絶縁分離および高耐圧接合終端構造の低コスト化により、高性能な高耐圧ICの低コスト化を実現する。【解決手段】p形半導体基板からなる第一領域1と、その表面層に選択的にn形の第二領域2と、第二領域2の表面層に選択的にp形の第三領域3と、第二領域2の表面層に選択的に形成したn形の第五領域5と、第三領域3の表面層に選択的に形成したp形の第六領域6と、第二領域2の表面層に形成されたpチャネルMOSFETと、第三領域3の表面層に形成されたnチャネルMOSFETと、第一領域1を囲んで設けられた高耐圧接合終端構造HVJTとで構成される。

請求項（抜粋）：

第一導電形の第一領域と、第一領域の第一主面の表面層に選択的に形成された第二導電形の第二領域と、第二領域の表面層に選択的に形成された第一導電形の第三領域と、第三領域と離れて第二領域の表面層に選択的に形成された第一導電形の第一ソース領域および第一ドレイン領域と、第一ソース領域および第一ドレイン領域に挟まれた第二領域の表面上に絶縁膜を介して形成された第一ゲート電極と、第三領域の表面層に選択的に形成された第二導電形の第二ソース領域および第二ドレイン領域と、第二ソース領域および第二ドレイン領域に挟まれた第三領域の表面上に絶縁膜を介して形成された第二ゲート電極とを具備することを特徴とする高耐圧IC。

FI (3件)：

H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 656 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-198282 出願人：株式会社東芝
特開昭63-234561
特開平3-188666

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