半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022970
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】貫通転位密度が低くかつ表面ラフネスも小さい半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体基板は、Si基板上に、Ge組成比が表面に向けて漸次増加する複数のSiGeの傾斜組成層を積層したSiGeバッファ層を備え、これらの傾斜組成層各々は、隣接する2つの傾斜組成層のうち上側の傾斜組成層の下面側のGe組成比は、下側の傾斜組成層の上面側のGe組成比より小であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、Ge組成比が表面に向けて漸次増加するSiGeの傾斜組成層を複数層積層状態としたSiGeバッファ層を備え、これらの傾斜組成層各々は、隣接する2つの傾斜組成層のうち上側の傾斜組成層の下面側のGe組成比は、下側の傾斜組成層の上面側のGe組成比より小であることを特徴とする半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/78 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/80 H

Fターム (30件)：

5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045HA22 , 5F052GC01 , 5F052GC03 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F102FA00 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102HC01 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA05 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (4件)

傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-505004 出願人：マサチューセッツインスティチュートオブテクノロジー
化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-365057 出願人：信越半導体株式会社
化合物半導体エピタキシャルウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022029 出願人：信越半導体株式会社

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