特許
J-GLOBAL ID：200903096231408510
傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-505004
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513507
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：
【要約】半導体基板(302)と、この基板上の少なくとも1つの第1結晶性エピタキシャル層(304)であって平坦化された表面を持つ第1層と、その第1層上の少なくとも1つの第2結晶性エピタキシャル層(306)と、を備える半導体構造。本発明の別の実施態様では、半導体基板、及びその基板上に成長したGeSi(306,308)傾斜領域を備える半導体構造が提供され、その傾斜領域には、熱処理時に組み込まれた引っ張り歪みを相殺するような圧縮歪みが組み込まれる。本発明の更に別の実施態様では、半導体基板と、この基板上に成長した傾斜領域(304)を有する第1層と、を備える半導体構造が提供され、前記傾斜領域には熱処理の間に組み込まれる引っ張り歪みを相殺すべく圧縮歪みが組み込まれ、前記第1層は平坦化された面を有し、前記第1層上に第2層(306,308)が設けられる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 この基板上の少なくとも1つの第1結晶性エピタキシャル層であって、平坦化された面を持つ第1結晶性エピタキシャル層と、 該少なくとも一つの第1層の上の第2結晶性エピタキシャル層と、 を備える半導体構造。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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