特許
J-GLOBAL ID：200903072204422857
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-277363
公開番号（公開出願番号）：特開2005-043646
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】有効領域の半透明位相シフトパターン上の遮光パターン表面の反射率を外周部の遮光パターン表面の反射率より低くすることにより、検査工程での有効領域の半透明位相シフトパターン上の遮光層膜残りの検出を可能にしたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】透明基板11上の有効領域20内に半透明位相シフトパターン21a上に遮光パターン31aを、外周部30に遮光帯31bを形成し、外周部30の遮光帯31b上に第2レジストパターン42aを形成する。プラズマ処理等により遮光パターン31aの表面を粗面化したり、酸化皮膜等を形成する等の方法で、所定の反射率を有する低反射遮光パターン31a’を形成し、さらに、低反射遮光パターン31a’をエッチングで除去して、半透明位相シフトパターン21aを形成し、外観検査を行って、ハーフトーン型位相シフトマスクを得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板(11)上に半透明位相シフト層(21)及び遮光層(31)が形成された位相シフトマスク用ブランクス(10)上に第1レジスト層(41)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、有効領域(20)内に第1レジストパターン(41a)を、有効領域外の外周部(30)に第1レジストパターン(41b)を形成する工程。
(b)第1レジストパターン(41a)及び(41b)をマスクにして遮光層(31)をエッチングし、第1レジストパターン(41a)及び(41b)を剥離し、有効領域(20)内に遮光パターン(31a)を、外周部(30)に遮光帯(31b)を形成する工程。
(c)第2レジスト層(42)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、外周部(30)の遮光帯(31b)上に第2レジストパターン(42a)を形成する工程。
(d)遮光パターン(31a)の表面処理を行って、所定の反射率を有する遮光パターン(31a’)を形成する工程。
(e)遮光パターン(31a’)をマスクにして半透明位相シフト層(21)をエッチングする工程。
(f)遮光パターン(31a’)をエッチングで除去し、半透明位相シフトパターン(21a)を形成する工程。
(g)第2レジストパターン(42a)を剥離処理する工程。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
