特許

J-GLOBAL ID：200903072211807225

半導体部品の製造方法

発明者： ダレル・ジー・ヒル ,  マリアム・ジー・サダカ ,  ジョナサン・ケー・アブロクワ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247541
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124521
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 信頼性があり、なおかつ最大動作電圧を呈する半導体部品の製造方法と、その半導体部品とを提供する。【解決手段】 半導体部品を製造する方法と、その半導体部品とは、エミッタ層280内の保護膜レッジ640の部分上に誘電層620を形成し、ベース・コンタクト660を誘電層620上に重ねる段階を備える。

請求項（抜粋）：

半導体部品を製造する方法であって:a)エミッタ層(280)内の保護膜レッジの少なくとも一部分上に誘電体層(620)を形成する段階;およびb)前記誘電体層上にベース・コンタクト(660)を重ねる段階であり、半導体部品を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 21/302 J

Fターム (30件)：

5F003AP04 ,  5F003BA01 ,  5F003BA11 ,  5F003BA13 ,  5F003BA92 ,  5F003BB02 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BF90 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP32 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96 ,  5F003BS04 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB12 ,  5F004DB21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309073   出願人：日本電気株式会社
• バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-356385   出願人：日本電気株式会社
• ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-338703   出願人：富士通株式会社