特許

J-GLOBAL ID：200903052520012856

バイポーラトランジスタ

発明者： 三好 陽介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183075
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 ガードリングを備えたバイポーラトランジスタの特性を向上させる。【解決手段】 ベース電極110に連続してMIS電極(制御電極)112を備え、絶縁保護膜109を介してこのMIS電極112がガードリング108上に配置されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたコレクタ層と、このコレクタ層上に形成されたベース層と、このベース層上の一部に形成されたエミッタ層と、このエミッタ層周囲の前記ベース層上に前記エミッタ層に接続して形成された前記エミッタ層と同一材料からなるガードリングと、前記ガードリング上に絶縁膜を介して配置されて所定の電位が印加される制御電極とを備えたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

Fターム (13件)：

5F003AP04 ,  5F003BA92 ,  5F003BA93 ,  5F003BB02 ,  5F003BC02 ,  5F003BE02 ,  5F003BF06 ,  5F003BH18 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BP94

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-241281   出願人：日本電信電話株式会社
• ヘテロバイポーラ型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111577   出願人：富士通株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309073   出願人：日本電気株式会社