薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-285780
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128487
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適したnチャネル型TFTとpチャネル型TFTを形成することができる薄膜半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】ガラス基板1上に形成した多結晶シリコン膜3にnチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを形成する際に、nチャネル型TFTの一部及びpチャネル型TFTの一部のチャネル領域に、同時にP型又はN型のドーパントを導入する工程を含むものであり、1回のチャネルドープで、低VT及び高VTのpチャネル型TFTの組と、低VT及び高VTのnチャネル型TFTの組とを形成することができ、この方法を用いて、ロジックやスイッチ回路にはオフ電流を小さくできる高VT-TFTを、アナログ回路にはダイナミックレンジを大きくできる低VT-TFTを形成することにより、薄膜半導体装置の性能の向上を図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、少なくとも、多結晶シリコン膜を活性層とするnチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT)及びpチャネル型のTFTを備える薄膜半導体装置において、同一チャネル型の中に、閾値電圧の異なる複数種のTFTを含み、異なるチャネル型の中に、同一のドーパントがチャネル領域に略等しい濃度で導入されたTFTを含むことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/786 , G02F1/1368

FI (4件)：

H01L29/78 613A , G02F1/1368 , H01L29/78 612B , H01L29/78 618F

Fターム (48件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092NA01 , 2H092NA26 , 2H092PA06 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置および半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090157 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (4件)

半導体装置とその製造方法、及びアクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237056 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置および半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090157 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
CMOS半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-128330 出願人：株式会社ニコン

全件表示

前のページに戻る