特許
J-GLOBAL ID：200903072218529786
半導体記憶装置及びその記憶消去方法並びに記憶消去方法が記憶された記憶媒体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135970
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317086
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置の更なる高集積化及び大容量化として最も有力視される多値化、即ち1つのメモリセルに複数のデータ(ビット)を記憶させる技術に、メモリセルアレイのブロック区分化の技術を適用した場合でも、使い勝手に優れ効率の良い情報管理を可能とする。【解決手段】 フラッシュメモリ(EEPROM)において、メモリセルアレイ1を複数のメモリセルブロック12に区分けする。そして、メモリセルアレイ1の各メモリセルブロック12毎に、当該メモリセルブロック12内でアドレス?@〜?C及び?D〜?Gが連続するように規定する。記憶消去時には、各ブロック12毎で独立に一斉消去を行う。
請求項（抜粋）：
3値以上の所定値の取り得る状態のうちの1つを記憶情報として記憶可能とされた多値型のメモリセルが複数配置されてなり、所定の前記メモリセルが集合してなるメモリセルブロックに区分けされ、当該メモリセルブロック毎に独立に前記記憶情報の消去がなされるように構成されたメモリセルアレイを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 612 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
