特許
J-GLOBAL ID：200903072229481580

半導体チップおよび高周波増幅器

発明者：
榎本 真悟

榎本 真悟 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193685
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】複数設けられたトランジスタの接地インダクタンスを個別に調整することができ、また、各トランジスタの接地側を介したアイソレーション特性が向上した半導体チップおよび高周波増幅器を提供する。【解決手段】半導体基板12と、半導体基板12に形成された複数のトランジスタ13〜15と、半導体基板12を厚み方向に貫通するビアホール16と、半導体基板12のトランジスタ13〜15が形成された面と反対の面に設けられて、互いに電気的に分離された複数の接地用金属パターン17〜18とを備え、複数のトランジスタ13〜15の接地用端子であるエミッタから引き出されたエミッタ電極13c,14c15cが、ビアホール16を介して、互いに異なる接地用金属パターン17〜19に電気的に接続されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成された、接地用端子を含む複数のトランジスタと、 前記半導体基板に形成されたワイヤボンディング用パッドと、 前記半導体基板を厚み方向に貫通するビアホールと、 前記半導体基板の前記トランジスタが形成された面と反対の面に設けられた接地用金属層とを含む半導体チップであって、 前記複数のトランジスタには、前記接地用端子が前記ビアホールを介して前記接地用金属層と電気的に接続された第一のトランジスタと、前記接地用端子が前記ワイヤボンディング用パッドと電気的に接続された第二のトランジスタとが含まれることを特徴とする半導体チップ。
IPC (3件)：
H03F3/195 ,  H01L23/12 ,  H03F3/68
FI (3件)：
H03F3/195 ,  H01L23/12 301L ,  H03F3/68 Z
Fターム (26件)：
5J069AA01 ,  5J069CA00 ,  5J069FA16 ,  5J069HA02 ,  5J069HA33 ,  5J069KA00 ,  5J069KC03 ,  5J069MA08 ,  5J069QA04 ,  5J092AA01 ,  5J092CA00 ,  5J092FA16 ,  5J092HA02 ,  5J092HA33 ,  5J092KA00 ,  5J092MA08 ,  5J092QA04 ,  5J500AA01 ,  5J500AC00 ,  5J500AF16 ,  5J500AH02 ,  5J500AH33 ,  5J500AK00 ,  5J500AM08 ,  5J500AQ04 ,  5J500CK03
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平4-271162
  • 高周波増幅器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-130068   出願人：株式会社日立製作所
  • 高周波用電力増幅器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-339983   出願人：京セラ株式会社
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