特許
J-GLOBAL ID:200903072250816509
反射防止構造を有する光学素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-152194
公開番号(公開出願番号):特開2005-331868
出願日: 2004年05月21日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】 広い波長域を有する光に対して反射防止効果を持ち、且つ入射角度依存性の小さい反射防止構造を有する光学素子をより少ない工程で製造する。【解決手段】 光学素子のエッチングに用いるCHF3プラズマでエッチングされない球状粒子を基板上に均一に配列し、この球状粒子を酸素プラズマで所定量エッチングして球状粒子の間から基板を露出させることにより球状粒子でマスクされた基板を形成する。このマスクされた基板をCHF3ガスでエッチングして基板表面に溝を形成する。次に、酸素プラズマで再び球状粒子を所定量エッチングした後でCHF3ガスにより基板を再度エッチングする。この処理を球状粒子消失するまでの間行うと、光学素子上に略錘形状の溝を有する反射防止構造を形成できる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
反射防止構造を有する光学素子の製造方法であって、
基板上にドットアレイ状に所定粒径を有する略球状の粒子を配列する粒子配列工程と、
前記粒子が配列された基板を第1反応ガスと接触させ、前記粒子を前記第1反応ガスによって選択的にエッチングすることにより前記粒子の間から基板の一部を露出させる粒子エッチング工程と、
一部が露出した前記基板を第2反応ガスと接触させ、前記基板の露出した部分を前記第2反応ガスによって選択的にエッチングする基板エッチング工程と、を有し、
前記粒子エッチング工程および前記基板エッチング工程による処理を前記基板上に配列された前記粒子が消失するまで、交互に繰り返し行うことによって前記基板上に略錘形状のパターンを形成することを特徴とする反射防止構造を有する光学素子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (16件):
2K009AA12
, 2K009BB02
, 2K009BB04
, 2K009BB12
, 2K009BB24
, 2K009CC09
, 2K009CC23
, 2K009CC24
, 2K009DD02
, 2K009DD04
, 2K009DD12
, 2K009DD15
, 4G059AA08
, 4G059AC04
, 4G059BB01
, 4G059BB13
引用特許:
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