特許
J-GLOBAL ID：200903072253726888

成膜方法

発明者：
石塚 穂高

石塚 穂高 について

, 
松田 司

松田 司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223087
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105638
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：
【要約】【課題】 良好な表面状態の膜を安定して製造することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】 チャンバー11内に被処理基板Wを配置する工程と、チャンバー内にSi含有ガスを供給して基板に前処理を施す前処理工程(ST2)と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程(ST3)とを具備する成膜方法であって、前処理工程(ST2)は、Si含有ガス分圧を50Pa以上にして行う。
請求項（抜粋）：
処理容器内に被処理基板を配置する工程と、処理容器内にSi含有ガスを供給して前記基板に前処理を施す前処理工程と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備する成膜方法であって、前記前処理工程は、Si含有ガス分圧を50Pa以上にして行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 C
Fターム (19件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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