特許
J-GLOBAL ID：200903015855924920
タングステンシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体ウェーハ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005520
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200050
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置に使用するための特性が優れて安定したタングステンシリサイド膜を得る。【解決手段】 不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置して昇温し、ジクロルシランを導入してシリコンウェーハの表面反応を起こさせた後、ジクロルシランにWF6を加えて導入して上記シリコンウェーハに薄くタングステンシリサイドを堆積させる。次にWF6 を止めてジクロルシランを導入し、その後に、ジクロルシランに加えてWF6を導入してタングステンシリサイドの堆積を行ないタングステンシリサイド膜を形成する。
請求項（抜粋）：
不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置し昇温する昇温工程と、ジクロロシラン(以下DCSと記す)を導入して上記シリコンウェーハの表面反応を起こす第1のDCS処理工程とを順次実施した後に、DCSと六ふっ化タングステン(以下、WF6と記す)を導入して上記シリコンウェーハ表面にタングステンシリサイドを堆積させる第1の堆積工程を実施することを特徴とするタングステンシリサイド膜の形成方法。
IPC (2件)：
C23C 16/42
, H01L 21/28 301
C23C 16/42
, H01L 21/28 301 D
