特許
J-GLOBAL ID：200903072261168347
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138901
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070493
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【目的】 パターン又はマスクの製造工程の複雑化を招くことなく、マスクのL&Sピッチ以下の微細パターンを形成する解像度の高いパターンを得ることができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的としている。【構成】 (i) 基板又は薄膜上に、ヒドロキシスチレン系オリゴマー(但し、ヒドロキシ基の少なくとも1部が官能基で置換されている)と光酸発生剤とからなるレジスト溶液を塗布し、(ii)前記レジスト溶液が塗布された基板又は薄膜に、所望のパターンを有するマスクを介して、前記光酸発生剤から酸を発生させるとともに、前記オリゴマーの重合をおこすのに十分な露光量で露光した後、ベークし、(iii) 得られた露光膜をアルカリ現像液で処理して、1つの露光部位中に、レジスト除去部分とレジスト未除去部分とを含むレジストパターンを形成することからなるレジストパターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
(i) 基板又は薄膜上に、ヒドロキシスチレン系オリゴマー(但し、ヒドロキシ基の少なくとも1部が官能基で置換されている)と光酸発生剤とからなるレジスト溶液を塗布し、(ii)前記レジスト溶液が塗布された基板又は薄膜に、所望のパターンを有するマスクを介して、前記光酸発生剤から酸を発生させるとともに、前記オリゴマーの重合をおこすのに十分な露光量で露光した後、ベークし、(iii) 得られた露光膜をアルカリ現像液で処理して、1つの露光部位中に、レジスト除去部分とレジスト未除去部分とを含むレジストパターンを形成することからなるレジストパターンの形成方法。
IPC (8件)：
C09D 11/00 PTE
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 515
, G03F 7/023 511
, G03F 7/028
, G03F 7/30
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
