特許
J-GLOBAL ID：200903072323678380
光半導体素子搭載基板、および光送信モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115147
公開番号（公開出願番号）：特開2007-286454
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】 小信号通過特性(S21)におけるピーキングの抑圧と小信号反射係数(S11)の低減を両立できる単一電源駆動方式の光送信モジュール構造を実現ずる。【解決手段】 半絶縁性半導体基板上に光変調器集積レーザを形成した半導体チップ22を用い、入力伝送線路27と光変調器素子21のアノード電極とを第一のボンディングワイヤ31で接続し、光変調器素子21のアノード電極と終端抵抗素子24の一端とを第二のボンディングワイヤ32で接続し、光変調器素子21のカソード電極と終端抵抗素子24の他の一端とを第三のボンディングワイヤ33で接続し、光変調器素子21のカソード電極と接地電極25とを第四のボンディングワイヤ34で接続し、第一のボンディングワイヤ31と入力伝送線路27との接続部を第四のボンディングワイヤ34と接地電極25との接続部に対して半導体チップ22を挟んだ反対側に配置した光送信モジュールより解決できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光変調器を有する光半導体素子が搭載され、接地電極と該光変調器へ電気信号を入力する入力伝送路と入力された電気信号に対する終端抵抗とが基板表面上に形成された光半導体素子搭載基板であって、
前記光半導体素子の表面上にはボンディングワイヤにて前記接地電極と接続される前記光変調器のアノード電極が設けられており、前記終端抵抗の接地側の電極と前記光変調器のアノード電極とが他のボンディングワイヤにて接続されることを特徴とする光半導体素子搭載基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/015 505
, H01S5/022
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB01
, 2H079EB28
, 2H079HA14
, 2H079HA15
, 2H079KA18
, 5F173MA01
, 5F173MB10
, 5F173MC20
, 5F173MD34
, 5F173MF40
出願人引用 (3件)
審査官引用 (1件)
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光モジュール
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-204143
出願人：日本オプネクスト株式会社
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