特許

J-GLOBAL ID：200903073473768634

単一電源駆動光集積装置

発明者： 清水 淳一郎 ,  牧野 茂樹 ,  青木 雅博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本オプネクスト株式会社
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-174368
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353910
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 従来のように、導電性の半導体基板を用いて、互いに逆方向のバイアスを印加することを必要とする光集積デバイスを作製した場合、デバイス間で基板側が共通の極性となるので、単一の電源で駆動することができない。本発明は、従来のプロセス技術で無理なくアノードとカソード両方が電気的に分離できる構造を実現し、単一の電源で駆動できる光集積デバイスを実現する。【解決手段】 半絶縁性または、絶縁性の基板上に光集積デバイスを形成し、各デバイス間の分離領域である光導波路に、少なくとも活性領域から基板に達するまでの高抵抗領域を設けることで、集積された各デバイスのアノードとカソードの両方を電気的に分離する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

互いに逆方向にバイアスを印加して駆動する少なくとも2つのデバイスを搭載した単一電源駆動光集積装置において、 前記デバイスのそれぞれは、半絶縁性若しくは絶縁性の電気抵抗を有する基板または 半絶縁性若しくは絶縁性の電気抵抗を有する第1の層と、 前記基板または前記第1の層上に形成された活性層を含む第2の層と、 前記第2の層上に形成され、前記デバイスのそれぞれを光学的に結合する光導波路とを有し、 前記光導波路および前記活性層を含み、少なくとも前記基板または前記第1の層に達するまでの高抵抗を有する分離領域を選択的に設けることにより、前記デバイスのそれぞれのアノードおよびカソード同士を相互に電気的に分離することを特徴とする単一電源駆動光集積装置。

IPC (2件)：

H01S5/042 ,  H01S5/026

FI (5件)：

H01S5/042 610 ,  H01S5/026 610 ,  H01S5/026 612 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/026 618

Fターム (12件)：

5F173AA05 ,  5F173AA16 ,  5F173AA22 ,  5F173AB13 ,  5F173AD11 ,  5F173AD12 ,  5F173AD16 ,  5F173AD21 ,  5F173AF97 ,  5F173AK22 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-199573   出願人：富士通株式会社
• 半導体光集積装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-032730   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 高感度光検出回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167328   出願人：経済産業省産業技術総合研究所長
• 特開昭62-291987
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-285471   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055289   出願人：株式会社東芝