プラズマCVD装置および成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106928
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】パーティクル発生の少ないプラズマCVD装置を提供し、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いても歩留まりの高い生産性を確保することを目的とする。【解決手段】真空排気可能な真空容器内に、基板を設置する反応室とプラズマ形成室とを、電極部104,105によって分離する。電極部の構造は網目状あるいは櫛状のようにプラズマ形成室で形成したプラズマを閉じこめ、活性種は透過する構造であればよい。上記プラズマ形成室で形成された活性種が反応室に輸送されると共に反応室へ第2のガスを導入することにより、上記活性種との気相反応あるいは上記基板上での表面反応がすすみ基板上に膜が形成される。上記第2のガス導入口106を基板108の配置位置よりも外側に配置することによって、第2のガス導入配管へ付着した膜あるいは粒状堆積物が配管から剥がれ基板上に落下するのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

所望の膜を形成する反応室と、第1のガスのプラズマを形成するプラズマ形成室と、前記反応室と前記プラズマ形成室とを分離し、前記第1のガスのプラズマを閉じこめ活性種を通過させる電極部と、前記活性種との気相反応あるいは基板上での表面反応によって前記基板上に所望の膜を形成する第2のガスを導入する導入口とからなるプラズマCVD装置において、上記第2のガスの導入口が基板の配置位置よりも外側に位置することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/50 , C23C 16/44

FI (2件)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196097 出願人：ソニー株式会社
特許第2650465号
特開平4-014217

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