特許
J-GLOBAL ID：200903072330249338
反射防止膜を有する半導体レーザ装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201533
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051072
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化シリコンの製造ばらつきに依らない低反射率を実現する構造の反射防止膜を有する半導体レーザ装置の提供。【解決手段】 屈折率が1.82から2.00で光学膜厚が発振波長の0.17倍から0.23倍の第1層の窒化シリコン101、及び光学膜厚が発振波長の0.03倍から0.15倍の第2層の酸化シリコン102から構成され、レーザ発振波長に対して最小反射率となる膜厚、屈折率の窒化シリコン及び酸化シリコンを選択すると窒化シリコン、酸化シリコンの製造ばらつきが生じても反射率を0.6%未満にすることができる。【効果】 窒化シリコンの屈折率、膜厚のばらつきに依らず安定した低反射率を有する反射防止膜を提供し、DFBレーザの単一縦モード歩留まりを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
光を閉じ込めるストライプ部と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有し、ストライプ部の実効的な屈折率である有効屈折率が3.1から3.27の半導体レーザにおいて、少なくとも1つ以上の光出射端面上に順に形成された第1、第2の誘電体薄膜を備え、第1の誘電体薄膜は、光学膜厚が前記半導体レーザの発振波長の0.17倍から0.23倍である窒化シリコンから成り、第2の誘電体薄膜が酸化シリコンから成る反射防止膜を有する半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
