特許

J-GLOBAL ID：200903072348123781

配線形成方法

発明者： 山田 和也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275779
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093901
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 デュアルダマシン形成において、配線溝を形成する際に、接続孔と接している下の配線パターンにダメージを与えることのない半導体製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に形成した配線部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に接続孔を形成する工程と、層間絶縁膜に接続孔を埋めるように半導体基板上に水溶性物質の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面にシリル化層を形成する工程と、レジスト膜を塗布する工程と、レジストパターンを形成する工程と、接続孔に重畳するように、溝配線部をエッチングにより形成する工程と、水溶性物質を除去する工程と、配線材料を接続孔と溝配線部に同時に埋め込み配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線形成方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した配線部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に接続孔を形成する工程と、層間絶縁膜に接続孔を埋めるように半導体基板上に水溶性物質の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に保護膜を形成する工程と、レジスト膜を塗布する工程と、レジストパターンを形成する工程と、接続孔に重畳するように、溝配線部をエッチングにより形成する工程と、水溶性物質を除去する工程と、配線材料を接続孔と溝配線部に同時に埋め込み配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/306 D

Fターム (33件)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS21 ,  5F033XX09 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043FF06 ,  5F043GG03 ,  5F058AC10 ,  5F058AG10 ,  5F058AH05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• デュアル・ダマシンプロセス用の改良された充填物質
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519478   出願人：ブルーワーサイエンスアイエヌシー.
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142044   出願人：株式会社東芝