セラミック基板および電子回路装置の製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209425
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054885
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】生セラミックに対して、導体の充填性を向上させた0.1mm以下の穴あけを可能にして実装密度の向上を図り、ドライプロセスでLSIチップを実装可能な分割された焼成セラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】生セラミックに対してレーザ光を照射して穴あけ加工を行う工程と、穴へ導体を充填する工程と、生セラミックの平面に配線導体を印刷する工程と、導体が形成された生セラミックを積層加圧する工程と、積層体から焼成セラミック基板を得る工程と、焼成セラミック基板に対して割断線に沿ってデフォーカス状態でレーザ光を照射して加熱応力を発生させて割断する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

生セラミックに対してレーザ光を照射して除去に基づく穴あけ加工を行う穴あけ工程と、該穴あけ工程によって生セラミックに対して穴あけされた穴へ導体を充填する導体充填工程と、前記生セラミックの平面に所望の配線導体を形成する配線導体形成工程と、前記導体充填工程および配線導体形成工程で導体が形成された生セラミックを積層加圧する積層工程と、該積層工程で積層加圧された積層体を焼成して焼成セラミック基板を得る焼成工程と、該焼成工程で焼成された焼成セラミック基板に対して分割すべき割断線に沿ってデフォーカス状態でレーザ光を照射して加熱応力を発生させて割断する割断工程とを有することを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (8件)：

H05K 3/00 , B23K 26/00 , B23K 26/00 320 , B23K 26/00 330 , H01L 23/12 , H01S 3/00 , H01S 3/11 , H05K 3/46

FI (11件)：

H05K 3/00 J , H05K 3/00 N , B23K 26/00 P , B23K 26/00 320 E , B23K 26/00 330 , H01S 3/00 B , H01S 3/11 , H05K 3/46 X , H05K 3/46 H , H01L 23/12 D , H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-196194
特公昭63-037518
ウェハ割断装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-002026 出願人：双栄通商株式会社

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