特許
J-GLOBAL ID:200903072402978364

電子部品用パッケ-ジ、その蓋体用の蓋材およびその蓋材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 本田 ▲龍▼雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-218310
公開番号(公開出願番号):特開2000-164746
出願日: 1999年08月02日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 電子部品用パッケージに優れた気密性を付与することができる蓋材およびその製造方法、並びにその蓋材によって形成された蓋体を備えた電子部品用パッケージを提供する。【解決手段】 本発明の蓋材1は、FeNi合金やFeNiCo合金で形成された芯材2と、この芯材2の上に圧接され拡散接合された、純Ni等のNiを主成分とするNi基金属で形成されたNi基金属層3と、このNi基金属層3の上に圧接されたろう材層5とを備える。前記Ni基金属層3における最大厚さT1の最小厚さT2に対する比T1/T2は1.4〜15とされる。この蓋材1は、芯材にNi基金属箔を圧接してNi基金属層を積層形成し、拡散焼鈍した後、前記Ni基金属層の上にろう材箔を圧下率30〜65%で圧接することにより製造される。
請求項(抜粋):
電子部品を収納する収納スペースが上面に開口するように形成されたケースの上面外周部に溶着される蓋体用の蓋材の製造方法であって、芯材の上にNiを主成分とするNi基金属で形成されたNi基金属箔を圧接してNi基金属層を積層形成するNi基金属箔圧接工程と、前記Ni基金属層が積層形成された芯材を拡散焼鈍して前記芯材に前記Ni基金属層を拡散接合する拡散焼鈍工程と、前記拡散焼鈍工程後にNi基金属層の上にろう材箔を30〜65%の圧下率で圧接してろう材層を積層形成するろう材箔圧接工程とを有する蓋材の製造方法。
IPC (5件):
H01L 23/02 ,  B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/00 350 ,  B32B 15/01
FI (5件):
H01L 23/02 J ,  B23K 20/00 310 J ,  B23K 20/00 310 B ,  B23K 20/00 350 ,  B32B 15/01 K
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る