特許
J-GLOBAL ID:200903072407420671
誘電体結晶膜
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-271266
公開番号(公開出願番号):特開平8-133734
出願日: 1994年11月04日
公開日(公表日): 1996年05月28日
要約:
【要約】【目的】 キュリー温度が高く、半田付けの際にも特性劣化のない誘電体結晶膜を提供するものである。【構成】 水熱合成により基板上に形成したPb(Zrx Ti1-x )O3 (ただし、0≦x≦1である。)からなる誘電体結晶膜において、Pbに対して20原子%以下のKを含有する誘電体結晶膜に関する。
請求項(抜粋):
水熱合成により基板上に形成したPb(Zrx Ti1-x )O3 (ただし、0≦x≦1である。)からなる誘電体結晶膜において、Pbに対して20原子%以下のKを含有することを特徴とする誘電体結晶膜。
IPC (5件):
C01G 25/00
, C30B 7/10
, C30B 29/22
, H01B 3/12 301
, H01L 41/187
引用特許:
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