特許

J-GLOBAL ID：200903072409013330

窒化物系半導体発光素子

発明者： 杉浦 理砂 ,  石川 正行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234882
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074622
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 SCH構造を採用した場合のキャリアのオーバーフローや再結合確率の低下を抑制することができ、しきい値電流の低減をはかる。【解決手段】 サファイア基板上101に、InGaN井戸層111とInGaNバリア層112を交互に積層してなる多重量子井戸構造のInGaN系活性層110を一対のGaN光ガイド層105,121で挟み、さらにその外側をp型及びn型の一対のAlGaNクラッド層104,122で挟んだSCH構造を有する窒化物系半導体レーザにおいて、活性層110を構成する多重量子井戸構造のInGaN井戸層111のうち最もp型AlGaNクラッド層122に近い方の一つをシリコン高濃度ドーピングによりn型層にした。

請求項（抜粋）：

基板上に、多重量子井戸構造の活性層をp型及びn型の一対のクラッド層で挟んだ窒化物系半導体発光素子において、前記活性層を構成する多重量子井戸構造の井戸層の一部を、p型クラッド層に近い方から順にn型不純物が添加された半導体層にしてなることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114541   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322924   出願人：日亜化学工業株式会社