特許
J-GLOBAL ID：200903072423421351

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
寺本 聡

寺本 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-132308
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287245
出願日： 2006年05月11日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】804で示されるが共通の活性層であり、この活性層中にチャネル形成領域が形成される。801は共通のゲイト電極およびゲイト配線である。805は共通のソース電極およびソース配線である。806は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。そして802で示されるのが、ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン領域とのコンタクト部分である。このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを有する表示装置であって、 前記複数の薄膜トランジスタは、 共通の活性層中に形成された複数のチャネル形成領域と、 共通のゲイト配線と、 前記共通の活性層に電気的に接続した共通のソース配線と、 前記共通の活性層に電気的に接続した共通のドレイン配線と、 を有し、 前記複数の薄膜トランジスタは、前記共通のゲイト配線、前記共通のソース配線、及び前記共通のドレイン配線により並列に接続されていることを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368
Fターム (78件)：
2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA32 ,  2H092JA38 ,  2H092KA03 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110EE24 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG30 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F152AA02 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE35 ,  5F152CF13 ,  5F152FF01 ,  5F152FF21 ,  5F152FF36 ,  5F152FF39
引用特許：
審査官引用 (5件)
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