基板処理方法及び基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中本菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041482
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184741
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】ウエハ等の金属汚染やパーティクルの発生、並びに酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるようにすること。【解決手段】ウエハWを収容する密閉された処理容器10内にオゾンガス2を供給するオゾンガス供給手段40と、処理容器10内に水蒸気1を供給する水蒸気供給手段30とを設け、オゾンガス供給管路42に介設される開閉弁49と、水蒸気供給管路34に介設される開閉弁36と、オゾンガス生成手段41のスイッチ48及び開閉弁49を、制御手段であるCPU100によって制御可能に形成する。これにより、処理容器10内にオゾンガス2を供給してウエハWの周囲雰囲気を加圧した後、処理容器10内に水蒸気1を供給すると共に、オゾンガス2を供給して、水蒸気1とオゾンガス2によってウエハWのレジスト除去や金属腐食等を防止することができる。

請求項（抜粋）：

密閉された処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲雰囲気を加圧する工程と、前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/304 , B08B 5/00 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/306

FI (8件)：

H01L 21/304 645 B , H01L 21/304 645 A , H01L 21/304 645 Z , B08B 5/00 Z , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H , H01L 21/302 P

Fターム (21件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096LA01 , 3B116AA02 , 3B116AA03 , 3B116BB11 , 3B116BB82 , 3B116BB90 , 3B116CA00 , 3B116CD11 , 5F004BA19 , 5F004BB19 , 5F004BC07 , 5F004BD01 , 5F004CA02 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004DB26 , 5F004DB27 , 5F004EA34 , 5F046MA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264596 出願人：新日本製鐵株式会社
レジスト除去洗浄方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-263723 出願人：セイコーエプソン株式会社

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