特許
J-GLOBAL ID：200903072463246293

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率シリカ系被膜付基板

発明者：
江 上 美 紀

江 上 美 紀 について

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中 島 昭

中 島 昭 について

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小 松 通 郎

小 松 通 郎 について


出願人/特許権者：
触媒化成工業株式会社

触媒化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214438
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030249
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率が2.5以下と小さく、しかも低水分吸着性と高被膜強度の特性を有する低誘電率シリカ系被膜を形成する塗布液を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランからなる群から選ばれる1種以上のケイ素化合物および/またはその加水分解物と、(B)下記一般式(III)で表される有機テンプレート材とを含んでなる低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。 XnSi(OR)4-n (I)、 XnSiX'4-n (II) [R1R2R3R4N]+Y- (III)(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、ビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、ビニル基を表し、X'はハロゲン原子を表す。nは0〜3の整数である。R1は炭素数が1〜20の炭化水素基、R2〜R4はH原子または炭素数が1〜20の炭化水素基であり、さらにR1と同一であっても良い。Yはハロゲン原子またはOH基を示す。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランからなる群から選ばれる1種以上のケイ素化合物および/またはその加水分解物と、(B)下記一般式(III)で表される有機テンプレート材とを含んでなる低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR)4-n (I)XnSiX'4-n (II)[R1R2R3R4N]+Y- (III)(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、X'はハロゲン原子を表す。また、nは0〜3の整数である。またR1は、炭素数が1〜20の炭化水素基、R2、R3、R4は、互いに異なっていても同一であってもよく、H原子または炭素数が1〜20の炭化水素基であり、さらにR1と同一であっても良い。Yはハロゲン原子またはOH基を示す。)
IPC (3件)：
C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/312 C
Fターム (35件)：
4J038BA022 ,  4J038CB002 ,  4J038CE012 ,  4J038DB002 ,  4J038DD002 ,  4J038DF002 ,  4J038DG002 ,  4J038DH002 ,  4J038DL032 ,  4J038DL041 ,  4J038DL061 ,  4J038GA01 ,  4J038GA03 ,  4J038GA12 ,  4J038JB11 ,  4J038KA20 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038MA14 ,  4J038NA04 ,  4J038NA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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