特許

J-GLOBAL ID：200903072488200158

窒化物半導体、それを用いた発光素子、発光ダイオード、レーザー素子およびランプ並びにそれらの製造方法

発明者： 小早川 真人 ,  友澤 秀喜 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289955
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129923
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 結晶性に優れ、発光効率が高く、逆耐圧特性の経時劣化が少ない窒化物半導体を提供すること。【解決手段】 基板上に窒化物半導体からなるn型層、発光層およびp型層をこの順で含み、発光層は井戸層を該井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層で挟んだ量子井戸構造を含み、該障壁層は井戸層よりも高温で成長させた障壁層Cおよび障壁層Cよりも低温で成長させた障壁層Eを含み、障壁層Cは障壁層Eに対して基板側に位置することを特徴とする窒化物半導体【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体からなるn型層、発光層およびp型層をこの順で含み、発光層は井戸層を該井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層で挟んだ量子井戸構造を含み、該障壁層は井戸層よりも高温で成長させた障壁層Cおよび障壁層Cよりも低温で成長させた障壁層Eを含み、障壁層Cは障壁層Eに対して基板側に位置することを特徴とする窒化物半導体。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (17件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041EE25 ,  5F173AA01 ,  5F173AF03 ,  5F173AF18 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AP06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-220454   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-220454   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203055   出願人：ソニー株式会社
• 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024685   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273948   出願人：日亜化学工業株式会社