特許
J-GLOBAL ID：200903013214137631

窒化物半導体の製造方法

発明者：
武石 英見

武石 英見 について

, 
亀井 英徳

亀井 英徳 について

, 
品川 修一

品川 修一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220454
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043618
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 井戸層の劣化を抑制し、障壁層の結晶性を向上させることで、発光効率の向上したMQW発光層の製造方法を提供することと、MQW発光層の形成時間の短縮化により製造コストを低減した発光素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 井戸層5、7、9の成長後に、障壁層6、8、10の一部を昇温しながら成長し、さらに一定温度で障壁層6、8、10の一部を成長した後、再度降温する工程を繰り返すことにより、結晶性に優れ、発光効率の高いMQWを形成できる。さらに、井戸層5、7、9の成長後に、障壁層6、8、10の一部を昇温しながら成長し、さらに一定温度で障壁層6、8、10の一部を成長させる際に、成長速度を大きくすることにより、MQW発光層の形成時間を短縮化することができ、発光素子の製造コストを低減することが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の上に、窒化物半導体からなる井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる障壁層と、を交互に積層した多重量子井戸構造を有する窒化物半導体を製造する方法であって、第1の基板温度で前記井戸層を成長させる第1の工程と、前記第1の基板温度から前記第1の基板温度より高い第2の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層を成長させる第2の工程と、前記第2の基板温度から前記第1の基板温度に降温する第3の工程と、を順に繰り返すことによって多重量子井戸を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
Fターム (68件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045EK27 ,  5F045EK28 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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