特許

J-GLOBAL ID：200903072506339142

タングステンプラグの形成方法

発明者： 谷 憲治
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034336
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232161
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 ビアホール内に十分なタングステン膜を形成し、もって製品の信頼性を向上するのに好適なタングステンプラグの形成方法を提供する。【解決手段】 下層配線10上に絶縁層20を形成し、絶縁層20上に形成される予定の上層配線50と下層配線10とを接続するビアホール30を絶縁層20に形成した状態において、ビアホール30を含む絶縁層20上にCVD法によりタングステン膜40を形成し、タングステン膜40を絶縁層20表面付近までエッチングする一連の処理を繰り返し行う。

請求項（抜粋）：

絶縁層を介して下層配線及び上層配線が形成される多層配線型の半導体装置の製造工程において、下層配線上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に形成される予定の上層配線と前記下層配線とを接続するビアホールを前記絶縁層に形成し、前記ビアホール内にタングステンプラグを形成する方法であって、前記ビアホールを含む前記絶縁層上にCVD法によりタングステン膜を形成し、前記タングステン膜を前記絶縁層表面付近までエッチングする一連の処理を、繰り返し行うことを特徴とするタングステンプラグの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R

Fターム (22件)：

4M104BB30 ,  4M104DD16 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033PP04 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-144495   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277497   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (2件)

• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-144495   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277497   出願人：セイコーエプソン株式会社