特許
J-GLOBAL ID：200903072519794752

多孔質SOG膜の多層膜形成方法

発明者：
田中 千晶

田中 千晶 について

, 
村上 裕彦

村上 裕彦 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252223
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 膜表面からの水分の侵入を防ぎ、吸湿を抑えた、低比誘電率の層間絶縁膜であって、この膜形成後の半導体プロセスによりその上にさらに膜を積層させても、比誘電率が変化しない多孔質SOG膜の形成方法の提供。【解決手段】 有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質SiO2膜を得る第一工程、次いで、該工程を少なくとも一回繰り返して、該工程で得られた多孔質膜の上にさらに多孔質膜を順次形成する。また、該第一工程で得られた多孔質膜の表面に、CVD法またはスパッタ法により、SiO2膜、SiNx膜またはSiOxNy膜のいずれかを形成し、該表面をキャップし、次いで、該第一工程とキャップ層形成工程とを少なくとも一回繰り返す。
請求項（抜粋）：
有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを酸加水分解またはアルカリ加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質SiO2膜を得る第一工程、次いで、該第一工程を少なくとも一回繰り返して、該第一工程で得られた多孔質SiO2膜の上にさらに多孔質SiO2膜を順次形成する工程を含むことを特徴とする多孔質SOG膜の多層膜を形成する方法。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  C03B 8/02 ,  C03B 19/12 ,  C03B 20/00 ,  C03C 17/22 ,  C03C 17/245 ,  C03C 17/34 ,  H01L 21/768
FI (12件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  C03B 8/02 A ,  C03B 8/02 B ,  C03B 19/12 A ,  C03B 20/00 J ,  C03C 17/22 Z ,  C03C 17/245 Z ,  C03C 17/34 Z ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 Q
Fターム (43件)：
4G014AH02 ,  4G014AH04 ,  4G014AH06 ,  4G014AH11 ,  4G014AH14 ,  4G059AA16 ,  4G059AB11 ,  4G059AC20 ,  4G059AC30 ,  4G059EA05 ,  4G059EA12 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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