特許
J-GLOBAL ID：200903035901574379

低誘電率絶縁膜形成用組成物および低誘電率絶縁膜形成方法

発明者：
池田 浩一

池田 浩一 について

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長谷川 利昭

長谷川 利昭 について

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駒井 尚紀

駒井 尚紀 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058540
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】加工が容易で、配線間容量が小さな信頼性の高い、均一な粒径を有する多孔質酸化シリコンからなる絶縁膜の形成方法、及び該絶縁膜形成用組成物を提供する。【解決手段】所定の分子量分布を有するアルコキシシラン化合物の重合体を含有する、半導体装置の低誘電率絶縁膜形成用組成物、及び該低誘電率絶縁膜形成用組成物を基板表面に塗布する工程と、前記塗布表面を50〜200°Cで乾燥する工程と、さらに300〜500°Cで焼成する工程を有する半導体装置の低誘電率絶縁膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
所定の分子量分布を有するアルコキシシラン化合物の重合体を含有する、半導体装置の低誘電率絶縁膜形成用組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  B05D 5/12 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/06 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/316 G ,  B05D 5/12 D ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/06 ,  H01L 21/90 Q
Fターム (40件)：
4D075BB24Z ,  4D075BB28Z ,  4D075CA23 ,  4D075DC22 ,  4D075EB42 ,  4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072EE01 ,  4G072FF04 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  4J038DL031 ,  4J038KA03 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  5F033AA02 ,  5F033BA15 ,  5F033EA05 ,  5F033EA12 ,  5F033EA25 ,  5F033EA26 ,  5F033EA33 ,  5F033FA03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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