特許
J-GLOBAL ID：200903072525750511
II-VI族化合物半導体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254622
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107045
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 長寿命で高出力の光デバイスが作製可能な均一で高品質な、GaAs基板上のII-VI族化合物半導体を提供する。【解決手段】 III-V族化合物基板上に構成元素としてInを含むIII-V族化合物半導体層を積層し、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させ、前記Inを含むIII-V族化合物半導体層の厚さを臨界膜厚以下にする。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に構成元素としてInを含むIII-V族化合物半導体層を積層し、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させるII-VI族化合物半導体の製造方法であって、前記Inを含むIII-V族化合物半導体層の厚さを臨界膜厚以下にすることを特徴とするII-VI族化合物半導体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/363
, H01L 21/203
, H01L 21/365
, H01L 29/26
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/363
, H01L 21/203 M
, H01L 21/365
, H01L 33/00 D
, H01S 3/18
, H01L 29/26
