特許
J-GLOBAL ID：200903072535248385

深トレンチのドープシリコン充填のプロセスシーケンス

発明者：
パランジュペ, アジット

パランジュペ, アジット について

, 
ナグ, ソムナス

ナグ, ソムナス について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-546817
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523640
出願日： 2005年12月13日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
膜堆積がトレンチの底部から上に向かって生じるようなシラン比に対する温度、圧力およびドーパントで第1の充填が実施される、深トレンチ構造のイン・シトゥー・ドープアモルファスシリコンによるボイドフリー充填方法が提供される。この第1の充填によって、100%を超えるステップカバレージウェルが達成される。第2の充填ステップにおいて、堆積レートに対するドーパントの影響を低減するために変更された条件で堆積が実施されることによって、トレンチ充填が、第1の充填の堆積レートを超える堆積レートで完了される。深トレンチキャパシタ構造を形成するためのこの方法の用途において、中間ステップはさらに、アモルファスシリコン層によるボイドフリー充填トレンチのキャッピング、その後のウェーハの平坦化、およびドーパントを再分布させるための熱アニーリングを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
イン・シトゥー・ドープシリコンによってボイドフリー高アスペクト比トレンチを形成するための方法であって、 高アスペクト比を有する深トレンチを提供するステップと、 前記トレンチ内に第1のドープアモルファスシリコン層を形成するステップであって、ヒ素堆積された前記形成された層がV状プロファイルを提示するように、前記層が100%より大きなステップカバレージを有するステップと、 前記トレンチを充填するために前記第1の層にわたって第2のドープアモルファスシリコン層を形成するステップと、 を備える方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L27/10 625Z ,  H01L27/04 C ,  H01L21/88 J ,  H01L21/28 301A
Fターム (44件)：
4M104BB01 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD49 ,  4M104DD79 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F033HH05 ,  5F033MM30 ,  5F033PP03 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR02 ,  5F033RR05 ,  5F033VV10 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ20 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB26 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AF08 ,  5F045AF11 ,  5F045DA60 ,  5F083AD15 ,  5F083GA27 ,  5F083JA33 ,  5F083PR21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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