特許
J-GLOBAL ID：200903072564615028
試料の表面加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065670
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340213
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の微細化の要求に応えるために、加工寸法が1μm以下好ましくは0.5μm以下の素子を加工できる、試料の表面処理方法を提供する。また、エッチング表面に凹凸が生じることなく平坦な面でエッチングを行い、下地の酸化膜を抜くことなく多層膜のエッチングを行うことのできる表面加工方法を提供する。【解決手段】基板上に堆積させた高融点の金属あるいは少なくとも高融点の金属と半導体からなる多層膜の試料を、真空容器内の試料台に配置し、前記真空容器内にプラズマを発生させさせるとともに、前記試料台に高周波バイアス電圧を印加し、前記試料台に印加する高周波電力を周期的にオン、オフしてプラズマ処理する。前記高周波電圧をオン、オフする一周期に占めるオン期間の割合は、5%から60%の範囲とするのが望ましい。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積させた高融点の金属あるいは少なくとも高融点の金属と半導体からなる多層膜の試料を、真空容器内の試料台に配置し、前記真空容器内にプラズマを発生させさせるとともに、前記試料台に高周波バイアス電圧を印加し、前記試料台に印加する高周波電力を周期的にオン、オフしてプラズマ処理することを特徴とする表面加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 C
, H01L 21/302 J
