特許
J-GLOBAL ID：200903072653583768
光磁気記録媒体及びその再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262632
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、再生磁界を用いることなしに超解像の効果が得られ、従来の超解像媒体と比べ記録ビットの長期安定性やドライブの小型化に優れた効果を得ることができる超解像型の光磁気記録媒体及びその再生方法を提供することにある。【構成】 少なくとも希土類金属と遷移金属よりなる再生層、切断層、バイアス層、記録層の4層よりなる互いに交換結合した磁性層が基板上に設けられており、磁性層は再生光による加熱によって記録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無くなり、その結果、高温部分において再生層の副格子磁化がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記録媒体。
請求項（抜粋）：
少なくとも希土類金属と遷移金属よりなる再生層、切断層、バイアス層、記録層の4層よりなる互いに交換結合した磁性層が基板上に設けられており、再生層、切断層、バイアス層、記録層のキュリー温度を各々Tc1、Tc2、Tc3、Tc4としたときに、Tc1、Tc2、Tc3、Tc4は50°C以上であり、且つ【数1】Tc1>Tc2、Tc3>Tc2、Tc4>Tc2という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によってTc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無くなり、その結果、高温部分において再生層の副格子磁化がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記録媒体であって、Tc2においてバイアス層は記録層と交換結合をなしており、かつ記録層と比べて大きい体積磁化率を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
IPC (4件)：
G11B 11/10 506
, G11B 11/10
, G11B 11/10 571
, G11B 11/10 586
