特許

J-GLOBAL ID：200903072657792132

半導体薄膜および半導体装置

発明者： 大谷 久 ,  山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  尾形 靖 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152317
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354443
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。【解決手段】 非晶質半導体薄膜を触媒元素を利用して結晶化させた後、ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い前記触媒元素を除去する。こうして得られる結晶性半導体薄膜は概略{110}配向を示す。また、最終的な半導体薄膜中に残存するC、N、Sの濃度は 5×1018atoms/cm3 未満、Oの濃度は 1.5×1019atoms/cm3 未満であるという特徴がある。

請求項（抜粋）：

珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、面方位は概略{110}配向であり、且つ、珪素以外で膜中に存在する元素は少なくともC(炭素)、N(窒素)、O(酸素)及びS(硫黄)以外の元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053737   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所