特許
J-GLOBAL ID：200903072661047611

電界効果トランジスタ

発明者：
安藤 裕二

安藤 裕二 について

, 
中山 達峰

中山 達峰 について

, 
宮本 広信

宮本 広信 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-018138
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186936
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ(FET)であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいFETの提供。【解決手段】基板10、ダイヤモンド半導体層11、化合物半導体層12がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層11を(111)面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層12を(0001)面の六方晶化合物半導体、あるいは、(111)面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には2次元電子ガス13が生成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板、ダイヤモンド半導体層、化合物半導体層がこの順で形成された電界効果トランジスタであって、前記ダイヤモンド半導体層が(111)結晶面と平行に形成されたダイヤモンド半導体からなると共に、前記化合物半導体層が(0001)結晶面と平行に形成された六方晶化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/505 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  C30B29/04 W ,  C23C16/27 ,  C23C16/505 ,  C01B31/06 Z ,  H01L21/205
Fターム (48件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077HA06 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AD21 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC34B ,  4G146DA16 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GM04 ,  5F102GM05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR12 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電子素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-127034   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (1件)

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