特許
J-GLOBAL ID：201003059950791340
電子電界効果デバイス及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
特許業務法人浅村特許事務所
, 浅村 皓
, 浅村 肇
, 池田 幸弘
, 長沼 暉夫
, 梶原 斎子
, 新村 守男
, 金森 久司
, 長瀬 裕子
, 井上 洋一
, 弓削 麻理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-546060
公開番号（公開出願番号）：特表2010-517261
出願日： 2008年01月22日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
電子電界効果デバイス、及びこれら電子電界効果デバイスの製造方法が開示される。詳細には、極性材料と組み合わせてダイヤモンドから形成される簡単な構造内に、非常に移動性のある2次元電荷キャリアガスを形成することにより、改善された電気特性を有する電子電界効果デバイスが開示される。
請求項（抜粋）：
2つの材料間に界面を含む電子電界効果デバイスであって、前記界面が、
少なくとも第1面が結晶真性ダイヤモンドを含む第1ダイヤモンド層と、
前記第1層の前記第1面上に配置され、極性がある第2層とによって形成され、
前記第1層と前記第2層の間に分極の不連続があり、
主電荷キャリアが存在するバンド内で、前記第1層と前記第2層の間にバンドオフセットがあり、その結果、前記主電荷キャリアが、分極により誘導されたシート電荷と、前記第1層と前記第2層の間の分極の前記不連続によって形成された電界との複合効果、及び前記バンドオフセットにより、前記第1層内のプレーナ領域及び前記界面の近傍に閉じ込められるようになる、上記電子電界効果デバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC01
