特許

J-GLOBAL ID：200903072665302500

基板処理装置及び基板処理方法

発明者： 森山 公一朗 ,  大利 博和 ,  岡田 直人 ,  芳里 直 ,  下田 寛嗣 ,  尾▲崎▼ 裕之 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260722
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】加熱手段の破損等の障害を伴うことなく、短時間で昇温することができ、安価なコストで生産性が高く、特性の良好な処理済み基板が得られる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置において、前記基板を加熱する機構が、前記基板が前記処理空間内に搬入される前に該基板を加熱するランプヒータからなる予備加熱手段と、前記基板の前記処理空間内に搬入された部分を加熱するプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段と、からなることを特徴とする基板処理装置、及び、それを用いた基板処理方法を提供する。

請求項（抜粋）：

処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置において、前記基板を加熱する機構が、前記基板が前記処理空間内に搬入される前に該基板を加熱するランプヒータからなる予備加熱手段と、前記基板の前記処理空間内に搬入された部分を加熱するプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段と、からなることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/46 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/56 D ,  C23C 16/46 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347738   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜作製方法および薄膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138348   出願人：松下電器産業株式会社
• ロール・ツー・ロール型マイクロ波プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140276   出願人：キヤノン株式会社