特許

J-GLOBAL ID：200903072685753509

差分型温度分析センサ

発明者： ヒガシ,ロバート・イー ,  コウル,バーレット・イー
出願人/特許権者： ハネウェル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592622
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534676
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】差分型温度分析センサにおいて、ピットを有している基板と、ピットに近接して配置される第1の誘電体層と、第1の誘電体層上に形成された発熱体と、発熱体及び第1の誘電体層上に形成された第2の誘電体層と、第2の誘電体層上に形成された第1の組の熱電対接合と、第2の誘電体層上に形成された第2の組の熱電対接合と、第1及び第2の組の熱電対接合上に形成された第3の誘電体層と、第1の組の熱電対接合に近接して形成された第1のアクティブ層と、第2の組の熱電対接合に近接して形成された第2のアクティブ層と、第1のアクティブ層上に形成された第4の誘電体層とからなる温度分析センサ。

請求項（抜粋）：

差分型温度分析センサにおいて、 ピットを有している基板と、 ピットに近接して配置される第1の誘電体層と、 第1の誘電体層上に形成された発熱体と、 発熱体及び第1の誘電体層上に形成された第2の誘電体層と、 第2の誘電体層上に形成された第1の組の熱電対接合と、 第2の誘電体層上に形成された第2の組の熱電対接合と、 第1及び第2の組の熱電対接合上に形成された第3の誘電体層と、 第1の組の熱電対接合に近接して形成された第1のアクティブ層と、 第2の組の熱電対接合に近接して形成された第2のアクティブ層と、 第1のアクティブ層上に形成された第4の誘電体層とからなる温度分析センサ。

Fターム (9件)：

2G040AA02 ,  2G040AB08 ,  2G040AB18 ,  2G040BA23 ,  2G040CA01 ,  2G040CA22 ,  2G040DA02 ,  2G040DA03 ,  2G040EB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 接触ガスセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198242   出願人：フォードモーターカンパニー
• 熱伝導率測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162964   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 触媒燃焼式ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215905   出願人：三菱マテリアル株式会社