特許
J-GLOBAL ID：200903072777633224

配線形成方法及び装置

発明者：
井上 裕章

井上 裕章 について

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中村 憲二

中村 憲二 について

, 
松本 守治

松本 守治 について

, 
金山 真

金山 真 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について

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荏原ユージライト株式会社

荏原ユージライト株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-022190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224128
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 例え高アスペスト比な凹部であっても、この凹部内に欠陥のない健全な導電性金属からなる埋込み配線を形成できるようにする。【解決手段】 基板の表面に設けた微細な凹部に湿式めっきにより導電性金属を埋込んで配線を形成するにあたり、基板の表面に形成したバリアメタルに無電解めっきのための触媒を付与し、この触媒を付与したバリアメタルの表面に無電解めっきにより金属膜を形成し、この金属膜を形成した基板をアニールする。
請求項（抜粋）：
基板の表面に設けた微細な凹部に湿式めっきにより導電性金属を埋込んで配線を形成するにあたり、基板の表面に形成したバリアメタルの表面に無電解めっきのための触媒を付与し、この触媒を付与したバリアメタルの表面に無電解めっきにより金属膜を形成し、この金属膜を形成した基板をアニールすることを特徴とする配線形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 643
FI (7件)：
C23C 18/16 B ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/304 643 B ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K
Fターム (46件)：
4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022CA07 ,  4K022CA09 ,  4K022CA27 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD21 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM14 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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