特許
J-GLOBAL ID：200903074779546070
半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴及び半導体装置の配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149873
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083796
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の金属配線層を無電解めっき浴を用いて形成しても、金属配線層に金属不純物がほとんど含まれないようにする。【構成】 半導体基板11上に形成された絶縁膜12にコンタクトホール13及び配線用の溝14を形成する。銀イオンを含む硝酸銀、銀イオンの還元剤である酒石酸、銀イオンの錯化剤であるエチレンジアミン、及びpH調整剤であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド金属イオンを有する無電解めっき浴により、コンタクトホール13及び配線用の溝14の内部及び絶縁膜12の上に銀膜18を形成する。その後、絶縁膜12の上の銀膜18を化学機械研磨法により除去して、コンタクトホール13及び配線用の溝14の内部に埋め込み配線19を形成する。
請求項（抜粋）：
金属イオンを含む金属材料、化学式中に金属を含まない前記金属イオンの還元剤、化学式中に金属を含まない前記金属イオンの錯化剤、及び、化学式中に金属を含まないpH調整剤を有することを特徴とする半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴。
IPC (6件)：
H01L 21/3205
, C23C 18/34
, C23C 18/36
, C23C 18/40
, C23C 18/44
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 M
