特許
J-GLOBAL ID：200903072786676416

表示装置及びその製造方法

発明者：
入住 智之

入住 智之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250778
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072018
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】生産性が高く、表示品位の優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板1上に設けられた信号線9と、基板1上に信号線9と離間して設けられた導電性膜12と、信号線9、及び導電性膜12の上に設けられた下地絶縁膜と、下地絶縁膜の上に設けられたポリシリコン膜4と、ポリシリコン膜4の上に形成された層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7の上に形成された画素電極11と、層間絶縁膜7の上に画素電極11と離間して形成され、ポリシリコン膜4と信号線9とを接続する接続パターン15と、を備え、下部に導電性膜12が形成されたポリシリコン膜4の結晶粒径が、下部に導電性膜12が形成されていないポリシリコン膜4の結晶粒径よりも大きい。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた信号線と、 前記基板上に前記信号線と離間して設けられた導電性膜と、 前記信号線、及び前記導電性膜の上に設けられた下地絶縁膜と、 前記下地絶縁膜の上に設けられたポリシリコン膜と、 前記ポリシリコン膜の上に形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の上に形成された画素電極と、 前記層間絶縁膜の上に前記画素電極と離間して形成され、前記ポリシリコン膜と前記信号線とを接続する接続パターンと、を備え、 下部に前記導電性膜が形成された前記ポリシリコン膜の結晶粒径が、下部に前記導電性膜が形成されていないポリシリコン膜の結晶粒径よりも大きい表示装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (6件)：
H01L29/78 612B ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/136 ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20
Fターム (73件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB21 ,  2H092KA04 ,  2H092KB04 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5C094AA02 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA06 ,  5F152AA10 ,  5F152AA15 ,  5F152CC02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18
引用特許：
出願人引用 (2件)

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