特許

J-GLOBAL ID：200903019724024279

半導体表示装置及びその製造方法

発明者： 佐野 景一 ,  山田 努
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-022291
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297851
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】より表示品位の高い半導体表示装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】画素領域の各ドットに対応してこれを駆動するトランジスタDTFTが形成されている(図2(a))。一方、画素領域の周辺には、駆動回路を構成するトランジスタTFTが形成されている(図2(b))。このトランジスタDTFTを構成する多結晶シリコン10と、トランジスタTFTを構成する多結晶シリコン15とは、同一非晶質シリコンに対するレーザ照射工程にて生成される。ただし、トランジスタDTFTの下方には放熱性に優れた遮光層配線SLが形成されている。このため、このトランジスタDTFTを構成する多結晶シリコン10の結晶粒の粒径は、トランジスタTFTを構成する多結晶シリコン15の結晶粒の粒径よりも小さく設定される。

請求項（抜粋）：

画素領域内の各表示素子に対応して該画素領域内に形成された駆動素子と、該画素領域外に設けられ該駆動素子を駆動する駆動回路とを備えた半導体表示装置において、前記駆動素子を構成する多結晶半導体の結晶粒の粒径が、前記駆動回路内の素子を構成する多結晶半導体の結晶粒の粒径よりも小さく設定されてなることを特徴とする半導体表示装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (94件)：

2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA46 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB62 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB13 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA01 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5C094AA04 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F052AA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA13 ,  5F052JA01 ,  5F052JA03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN43 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083626   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075622   出願人：株式会社東芝
• 薄膜半導体装置と薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260312   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058493   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-350619   出願人：三洋電機株式会社, ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-094068   出願人：三洋電機株式会社