薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372050
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207337
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】光によるリーク電流の少ない、高性能のポリシリコン薄膜トランジスタ、及びその薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを製造する。【解決手段】絶縁性基板上に、第1の絶縁バッファ層、少なくとも表面にシリコン層を有する蓄熱遮光層、第2の絶縁バッファ層及び第1のシリコン層を、この順に下から積層する。蓄熱遮光層、第2のバッファ層及び第1のシリコン層の積層部分をパターニングする。パターニングされた第1のシリコン層にレーザビームを照射し、照射したレーザビームで第1のシリコン層を溶融して、第1のシリコン層を結晶化する。結晶化された第1のシリコン層に薄膜トランジスタを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)絶縁性基板上に、第1の絶縁バッファ層、少なくとも表面にシリコン層を有する蓄熱遮光層、第2の絶縁バッファ層及び第1のシリコン層を、この順に下から積層する工程と、 (b)前記蓄熱遮光層、第2のバッファ層及び第1のシリコン層の積層部分をパターニングする工程と、 (c)前記パターニングされた第1のシリコン層に、シリコンの吸収波長を有する連続発振のレーザビームを照射し、照射したレーザビームで前記第1のシリコン層を溶融して、前記第1のシリコン層を結晶化する工程と、 (d)結晶化された前記第1のシリコン層に薄膜トランジスタを形成する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 619B , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 612B , H01L29/78 626C

Fターム (50件)：

2H092JA24 , 2H092JA48 , 2H092KA04 , 2H092MA30 , 5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052EA11 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HJ12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN42 , 5F110NN43 , 5F110NN46 , 5F110NN48 , 5F110NN55 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-235349 出願人：三洋電機株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-309238 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-339571 出願人：シャープ株式会社

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